存储周期反转在即

存储芯片隶属于半导体大类中集成电路的范畴。半导体可分为分离器件、光电子、传感器和集成电路四大类。其中，集成电路是半导体中占比最高的产品类型，2022年其市场规模达4799.88亿美元，约占整个半导体市场规模的82.74%，集成电路包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种类型芯片。

存储芯片（MemoryChip）是一种用于数据存储和读取的电子器件，其由一系列存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。存储芯片包括一旦断电储存的数据就会丢失的易失性存储（RAM），以及断电后不影响保存数据的非易失性存储（ROM）。其中，RAM按照是否需要刷新分为SRAM和DRAM（需要刷新），DRAM按应用场景的不同分为DDR以及LPDDR；ROM芯片中最为常见的是Flash，其按照不同的存储结构分为基于页的NANDFlash以及基于字节的NORFlash，NANDFlash按应用场景不同又分为嵌入式存储、固态硬盘SSD以及移动存储等。DRAM、NAND是目前全球最主要的存储器，根据ICInsights的数据显示，2021年全球DRAM\NAND\NOR营收占比分别为56%\41%\2%。

(相关资料图)

目前存储芯片被广泛应用于各种电子设备和系统中，例如个人电脑、智能手机、数码相机、游戏机、汽车电子、物联网设备等。

存储芯片在集成电路中占比较高。根据WSTS数据，2021、2022年，存储芯片在集成电路销售额中占比33.23%、28.00%，同时预测2023年全年集成电路销售额将达到4530.41亿美元，其中存储产品销售额达1116.24亿美元，占比24.64%，在半导体市场遇冷的大环境下，仍旧占比较高。据Yole预测数据，存储21-27年CAGR达到8%，至2027年，存储市场规模有望达到2630亿美元。

存储芯片市场弹性较强，将有望引来上行周期。存储芯片大宗商品属性较强，标准化程度高，故其可替代性较强、价格对下游市场需求较为敏感，因此存储芯片的周期波动往往高于半导体行业的整体周期波动，在整体行业处于下行周期时，存储市场往往会受到更高的冲击，而相应地若处于从低谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多；同时，根据过去的历史规律，存储芯片下跌周期往往不超3年，而目前存储市场景气度下行已持续近两年半，我们预计其有望很快迎来上行周期，根据WSTS的预测，存储2023-2024年市场规模为840.4亿美元和1203.3亿美元，分别同比-35%，+43%。

图：2010-2024F年半导体细分市场增速

数据来源：WSTS

价格

回溯DRAM价格周期。主流颗粒DDR4-4Gb-512Mx82133/2400MHz、DDR4-8Gb-1Gx82133/2400MHz、DDR3-4Gb-512Mx81333/1600MHz现货平均价自2022年初便一路下跌至近两年来价格谷底，目前下跌速度趋缓，我们预计仍将有一段时间的下跌，但下降空间不大。其中以DDR4-4Gb-512Mx82133/2400MHz为例，目前该颗粒现货价格1美金，而在去年同一时间点的价格约为2.28美金。

价格周期

2022年3月开始的相对高点之后，目前也处于下跌周期，周期长度与DRAM基本重合。代表性颗粒128\256\512GbTLCwafer价格均处于近两年低谷，如512GbTLCWafer现货目前平均价仅为1.40美金。我们预计，相比DRAM，NAND有望先迎来价格上行。

23Q3DRAM、NAND产品均价继续下跌但跌幅预计减少，NANDFlashWafer产品均价有望上涨。对于短期内DRAM和NAND芯片的价格变动，参考TrendForce对3Q23产品价格的预估：

①DRAM方面，受益于DRAM供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力，预期23Q3DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均价均预计环比下跌0~5%；

②NANDFlash方面，同样受惠于原厂减产幅度持续扩大，与季节性旺季需求支撑，预估23Q3整体NANDFlash均价下跌收敛至3~8%，其中NANDFlashWafer均价预估将率先上涨，环比增长0~5%；

eMMC、UFS，其合约均价预计跌幅仍有约8~13%；EnterpriseSSD均价跌幅将收敛至5~10%；ClientSSD均价将环比下跌8~13%。

库存

对比海外存储大厂海力士与美光的库存，自22年初水位一直增长，反应过去存储一直处于下行周期，目前海力士库存水位增速放缓，其周转天数已达峰，23Q2有望看到好转；美光FY23Q2存货、存货周转天数水平较FY22Q4均有所下行，公司在FY23Q3法说会也公开表明其客户库存正在改善：除数据中心外，美光的其他终端市场的库存接近正常水平，数据中心的客户库存预计在今年年底或往后不久也会有所改善。美光FY23Q3指的是公司2023年2月-5月的经营季度，对应了三星、海力士一部分的FY23Q2的财务情况，因此从美光的指引来看三星、海力士FY23Q2的库存水位很有可能看到好转的迹象。同时，近日三星突然在非常规的人事季节更换DRAM部门负责人，与其上半年存储半导体表现低迷亦有关联。我们判断，海外存储大厂的库存水位与库存周转天数的变化是目前存储行业已触底的积极信号。

供给

供给方面，低迷的市场表现和严重的亏损影响着各大存储芯片厂商，为及时调整库存和减少供应过剩带来的负面影响如降价等，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据等大厂纷纷于半年内宣布大幅减产、缩减资本支出。根据美光FY23Q3法说会信息，其近期将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年，这或也将对应三星、海力士等存储大厂FY23Q2的晶圆开工率情况。在大厂纷纷减产影响下，存储市场的供给将会持续减少以应对当前客户足量的库和下游萎靡的需求，最终驱动供求关系稳定地趋于平衡，存储芯片价格将会止跌。

图：全球存储原厂减产计划

资料来源：各公司会议

需求

根据ICInsights数据，2021年NANDflash和DRAM占存储芯片市场份额近97%，因此NANDFlash和DRAM的下游需求结构能够反映存储芯片主要下游应用。根据Trendforce与华经产业研究院的相关数据，智能手机分别占到NANDFlash和DRAM下游应用的40%左右，服务器分别占23%和34%，笔电分别占21%和13%。

以下将从智能手机、笔电、服务器三类下游应用的市场规模及趋势进行需求端的分析。

自2017年开始，全球智能手机开始呈现下降趋势，经济疲软和通货膨胀等后疫情宏观因素使得消费复苏不如预期，IDC预测2023年全球智能手机出货量将下降3.2%。但同时IDC也释放出积极信号，全球智能手机市场将有望于2024年实现良好复苏，预计出货量将增长6%，未来4年市场也将呈持续增长趋势。

笔电市场在经过几季度的低迷后有望立即反弹。根据数据，全球笔电市场将于23Q2现快速复苏并持续增长，23Q2全球笔电出货量将达40.5百万台，同比增长15.7%，到23Q4出货量将增长到44.7百万台。我们认为，笔电市场的复苏或将带动其余品类的消费电子产品景气度上行，从而多重需求驱动存储芯片市场的增长。同时，笔电代工厂广达受惠于笔电需求转好的季底拉货效应展现强大动能，6月营收破900亿元新台币大关，纬创、英业达业绩6月营收也同比走高。

全球服务器出货量过去十年一直呈现增长趋势，由于宏观经济因素，IDC预计2023出货量增速将下滑，2024年有望重回稳健增长轨道。同时，行业整体呈现出AI服务器等高算力型号渗透率增长超过传统型号的趋势，预计2023-2026年AI服务器渗透率CAGR将达到26.05%，且由于AI服务器对软硬件要求高，对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。

目前我国的半导体产业正蓬勃发展，但仍有一些卡脖子的环节，如产业链上游的半导体设备（如光刻机）与原材料（如湿化学品）、晶圆制造以及芯片设计环节，在芯片设计中存储芯片产业链便是目前国家布局半导体行业中需要着重攻克的领域。

半导体产业链存储芯片行业产业链上游参与者为原材料供应商和设备供应商；行业中游为存储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和销售。芯片具有较高技术壁垒，当前全球存储芯片市场被韩国、日本、美国企业所占据；行业产业链下游参与者为消费电子、信息通信、高新科技技术和汽车电子等应用领域内的企业。

存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。虽然中国本土长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业已逐步完善NAND和DRAM产业布局，技术已经追赶上国际巨头并进行规模量产，但也有部分等细分领域仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产。与国外存储芯片制造商相比，中国存储芯片技术基础薄弱为制约行业发展的主要因素。

图：部分国内存储产业链公司

资料来源：中银证券

DRAM

DRAM三巨头具备先发优势。据TrendForce数据统计，DRAM头部效应明显且集中度呈现越来越高的趋势，23Q1市场CR3达95.5%，较20Q1提升1.3pcts。产品上，目前产品最新标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。传统异步DRAM已被淘汰，读/写时钟与CPU同步的SDRAM作为DRAM的升级成为主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代（DDR5）；制程上，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm（16-19nm）/1Ynm（14-16nm）/1Znm（12-14nm）/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。长鑫2018年成功研发出中国首个国产8GbDDR4内存，2021年开始进入17nm工艺环节，2022年完成了17nmDDR5内存试产。目前长鑫存储主要产品有DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片以及DDR4模组，但整体来看，与DRAM三巨头仍存在一定差距。

NANDFlash

相比于DRAM，NAND集中度更低，但目前依然呈现越来越高的趋势。据TrendForce数据显示，近两年NANDFlash市场龙头占领的市场份额进一步加大，CR5从20年Q1的89.0%增长到现在的96.6%。产品上，长江存储于2022年发布基于晶栈?（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，同时是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量，与国际巨头达到相近的技术水平。

NORFlash

NORFlash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导。据ICInsights统计，2021年NORFlash市场CR3份额达91%。从制程布局上看，华邦电相对领先，自2021年大多数产品已转进40nm制程；旺宏的所有NOR器件都于2022Q2开始向45nm工艺生产过渡；兆易创新作为国产NORFlash龙头，其55nmNORFlash全系列产品均已量产，同时正在着力推进45nm制程工艺研发。价格一路下跌的重要原因之一。

自党的十九大提出“数字中国”以来，全国有条不紊的走在建设数字经济、数字民生、数字政务、数字安全的道路上。目前我国正通过四个方向加速推动算力发展，第一，全球AI等技术的飞速发展助力了我国算力建设的快速扩张，据工信部统计，2018-2022年我国算力产业规模平均增速超过30%，算力规模排名全球第二。二是北京、上海、深圳等城市正积极推动新的政府级算力项目。三是实现算力调度和交易，构建公共算力平台。四是政策支持国产AI芯片的应用和发展。以上方向构成的中国未来算力发展主要赛道，将对相关产业链带来利好，包括AI芯片，服务器整机制造，算力中心建设及运营等。

“东数西算”，数字经济时代的又一大国家级重点工程，类似曾经的南水北调，西气东输，目的是解决东西部供需不平衡的问题。其中的“数”即为数据。数据按使用频率分类可分为热数据、冷数据以及温数据，而东数西算的工程目的，则能将大部分使用频率低的冷数据和时延要求低的温数据输送至西部运算，从而减轻东部压力并提高运算效率。数字化时代，数据和算力成为新的生产要素，算力代表着对数字化信息处理能力的强弱，是支持数字经济发展和驱动国民经济增长的关键因素。它不仅改变了人们的生产方式、生活模式和科研范式，甚至成为科技进步和经济社会发展的关键“底座”。小到智能电脑、智能手机、平板等电子产品，大到天气预报、医疗保障、清洁能源等民用领域拓展应用，都离不开算力的赋能支撑。5G、云计算、大数据、人工智能、物联网等数字化技术，在各个行业得到加速应用。算力作为数字经济的新引擎，正持续促进线上线下加速融合。根据IDC数据，全球数据量由2019年的42ZB增长至2022年的81.3ZB，CAGR达24.6%，预计2025年全球数据产量将增至175ZB。而作为拥有全球第二大数据产量的国家，2022年我国数据产量约7.9ZB，预计2023年将增至9.3ZB。

政策推动打造算力产业新格局根据“东数西算”政策规划，将在京津冀等八地建设国家算力枢纽节点并规划了10个国家数据中心集群，根据国家互联网信息办公室发布《数字中国发展报告（2022年）》与国家发改委相关指引，截至2022年底我国数据中心机架总规模已超过650万标准机架，大数据中心投资还将以每年超过20%的速度增长，累计带动各方面投资将超过3万亿元。目前，“东数西算”工程的8个国家算力枢纽节点建设已全部开工，工程从系统布局进入全面建设阶段。

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